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B Geschichte der Halbleiterentwicklung und Grundlagen

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B.8 Glossar - Erklärung elektrotechnischer Begriffe [EN]

Absolute Grenzwerte  -  dürfen unter keinen Umständen überschritten werden. Netzspannungsschwankungen, Toleranzen der einzelnen Halbleiterkomponenten und der anderen Schaltelemente sowie die Wirkung verschiedener Einstellungen im Gerät müssen sorgfältig berücksichtigt werden. Die Schaltung muss so ausgelegt werden, dass die absoluten Grenzwerte auch beim Zusammentreffen ungünstiger Bedingungen nicht überschritten werden. Schon das Überschreiten eines einzelnen Grenzwertes kann zu ernsthaften Schädigungen des Bauteils führen.

Effektiver Widerstand in der Anodenleitung  -  Dieser Widerstand RA hat Bedeutung in Gleichrichterschaltungen und begrenzt den Spitzenstrom durch die Gleichrichterdiode. Bei Topologien mit Kondensator am Eingang der Siebkette, muss meistens ein zusätzlicher Schutzwiderstand in der Anodenleitung vorgesehen werden, wodurch sich der effektive Anodenwiderstand aus dem Schutzwiderstand Rs, dem Gleichstromwiderstand R2 der sekundären Transformatorwicklung, sowie dem transformierten Widerstand R1 der Primärwicklung zusammensetzt:

RA = Rs + R2 + (n2/n1)2 x R1

Der minimale effektive Widerstand RA wird meistens vom Hersteller für die einzelnen Betriebsbedingungen (Transformatorspannung, Lastkapazität) spezifiert, wodurch ein eventuell benötigter Schutzwiderstand unter Berücksichtigung der Innenwiderstände der induktiven Komponenten bestimmt werden kann. Im allgemeinen dürfen höhre als die angegebenen Kapazitätswerte benutzt werden, jedoch muss der effektive Widerstand in der Anodenleitung unter Umständen erhöht werden, um die Überschreitung des maximal zulässigen Anodenspitzenstroms zu verhindern.
Bei Verwendung einer Drossel am Eingang der Siebkette kann der Schutzwiderstand normalerweise entfallen, da eine ausreichend hohe Induktivität in Serie zum Ladekondensator hohe Stromspitzen verhindert. Hinzu kommt noch der Gleichstromwiderstand der Drosselwicklung. Hier setzt sich der effektive Anodenwiderstand aus dem ohmschen Widerstand der Drossel RsL, dem Widerstand R2 der sekundären Transformatorwicklung, sowie dem transformierten Widerstand R1 der Primärwicklung zusammen:

RA = RsL + R2 + (n2/n1)2 x R1


Emitter-Basis-Leerlaufspannung  -  UEB(FL) ist die Leerlaufspannung zwischen Emitter- und Basis-Anschluss, wenn der Kollektor gegenüber der Basis in Sperrrichtung vorgespannt ist.

Energie im zweiten Durchbruch  -  E (SB)X ist als die Energie definiert, bei der in Verbindung mit einer bestimmten Sperrbedingung der zweite Durchbruch auftritt. E (SB)X = ½LI², hierbei sind L eine in Serie geschaltete Last- oder Streuinduktivität und I der Scheitelwert des Kollektorstroms.

FREDFET (Fast-Recovery Epitaxial-Diode Field-Effect Transistor)  -  ist ein Feldeffekt-Transistor mit schneller Inversdiode (Epitaxial-Diode mit niedriger Sperrverzögerungszeit).

Kollektorstrom im zweiten Durchbruch  -  IC (SB) ist als der Strom definiert, bei dem in Verbindung mit einer bestimmten Kollektorspannung der zweite Durchbruch auftritt. Hierbei arbeitet der Transistor im aktiven Bereich und die Basis-Emitter-Strecke ist in Durchlassrichtung vorgespannt.

Rauschzahl  -  Allgemein als Störabstandsverhältnis

F = Eingangsstörabstand / Ausgangsstörabstand

definiert, wobei Störabstand = Signalleistung / Rauschleistung. Die Rauschzahl gibt an, welche Signalleistung man dem Eingang zuführen muss, damit am Ausgang Gleichheit zwischen Signal- und Rauschleistung besteht.

Sperrschicht-Berührungsspannung  -  UCB(PT) wird durch Messung der Emitter-Leerlaufspannung UEB(FL) mit einem Voltmeter von mindestens 11 MegOhm Eingangsimpedanz bestimmt. Dabei wird die Kollektor-Basis-Spannung UCB so lange erhöht, bis UEB(FL) = 1.0 V, dann gilt UCB = UCB(PT) + 1.

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