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1 Übersicht
Overview

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1.3 Feldeffekt-Transistoren
Field-Effect Transistors

1.3.3 Selbstleitende Silizium-MOS-Kleinsignaltypen
Silicon Small-Signal Depletion-Mode MOS Devices (Small-Signal MOSFETs)

Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

Hoch - UpRunter - Down  Pol. UDS
V
gfs
mA/V
Case w
g
Art - Type = Anwendungen - Applications Ref *?
2SK241  N2010 L-3F6B
SC-72
0.13Triode with gate-protection diodes = FM tuner, VHF and RF amplifier applications Tos83
2SK359  N20>8.0 L-3F1
TO-92
0.25VHF amplifier Hit01
2SK439  N20>8.0 L-3F1A
SPAK
0.10VHF amplifier Hit01
3SK101  N2020 R-4H1
TO-50
0.08Tetrode with gate-protection diodes = TV tuner, VHF RF amplifier, VHF mixer applications Tos83
3SK102  N20>8.0 R-4H1
TO-50
0.08Tetrode = TV tuner, VHF RF amplifier, VHF mixer applications Tos83
3SK114  N15>13 R-4H1
TO-50
0.08Tetrode, marking: UC = TV tuner, VHF RF amplifier, VHF mixer applications Tos83
3SK115  N1517 R-4H1
TO-50
0.08Tetrode, marking: UD = TV tuner, VHF RF amplifier applications Tos83
BF960  N20>10 R-4H1
TO-50
<0.1Tetrode mit integrierten Gate-Schutzdioden = Eingangs- und Mischstufen in UHF-TV-Tuner bis 900 MHz Tfk85
BF961  N20>12 R-4H1
TO-50
<0.1Tetrode mit integrierten Gate-Schutzdioden = Eingangs- und Mischstufen in UKW- und VHF-TV-Tuner bis 300 MHz Tfk85
BF963  N20>16 R-4H1
TO-50
<0.1Tetrode mit integrierten Gate-Schutzdioden = Eingangs- und Mischstufen in UKW- und VHF-TV-Tuner bis 300 MHz Tfk85
BF964  N20>15 R-4H1
TO-50
<0.1Tetrode mit integrierten Gate-Schutzdioden = Eingangs- und Mischstufen in VHF-TV-Tuner Tfk85
BF966  N20>15 R-4H1
TO-50
<0.1Tetrode mit integrierten Gate-Schutzdioden = Eingangs- und Mischstufen in UHF-TV-Tuner Tfk85
BSS129  N230>140 L-3F4A
SOT-54
0.2General-Purpose Amplifier Sie87
BSS135  N600>10 L-3F4A
TO-92
 General-Purpose Amplifier Sie97
BSS149  N200>400 L-3F4A
SOT-54
 General-Purpose Amplifier Inf99
BSS229  N250>50 L-3F4A
SOT-54
 General-Purpose Amplifier Inf99
SM103  N20>1.3 L-3F2C
L3
0.3Allgemeine Anwendung - General Purpose Rft83
Fab80
SM104  N20>1.0 L-3F2C
L3
0.3Allgemeine Anwendung - General Purpose Rft83
Fab80
  Pol. UDS
V
gfs
mA/V
Case w
g
Art - Type = Anwendungen - Applications 17902

1.3.4 Selbstleitende Silizium-MOS-Leistungstypen
Silicon Depletion-Mode Power MOS Devices (Power MOSFETs)

Hoch - UpRunter - Down  Pol. UDS
V
ID
A
PT
W
Case w
g
Art - Type = Anwendungen - Applications Ref *?
IXTP01N100D  N10000.125 L-3L1
TO-220
1.0General-Purpose Amplifier - Switch Ixy01
IXTP02N50D  N5000.225 L-3L1
TO-220
1.0General-Purpose Amplifier - Switch Ixy01
  Pol. UDS
V
ID
A
PT
W
Case w
g
Art - Type = Anwendungen - Applications 17854

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OC604 spez. ASY30 OA150 OC816 KT801B AF102 EM120 KT904B OA5
MP25B OA70 BU208 MGT108 OC612 ALZ10