KyteLabs InfoBase - Semiconductor Data Last modified: 2016-11-22 (18647)

2 Statische Kenndaten
Static Characteristics

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2.2 Bipolar-Transistoren
Bipolar Transistors

2.2.8 Silizium-Leistungstypen im gesperrten Zustand (ausgeschaltet)
Silicon Power Devices (Off-State)

Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

UCBO, UCES, UCEX, UCER, UCEO = 500 ... 1000 V
Hoch - UpRunter - Down  Rate ICBO @UCB Rate U(BR)
CBO
@Ic U(BR)
CEO
@Ic U(BR)
EBO
@IE @Tc Ref *?
mAV VmAVmAVmA °C
BDY43  MAX0.2480 MIN6001.03002007.02.0 25Tfk75
MAX2.0480 MIN------ 150
BDY44  MAX0.2600 MIN7501.03502007.02.0 25Tfk75
MAX2.0600 MIN------ 150
  Rate ICBO @UCB Rate U(BR)
CBO
@Ic U(BR)
CEO
@Ic U(BR)
EBO
@IE @Tc 15748
mAV VmAVmAVmA °C
Hoch - UpRunter - Down  Rate ICES @UCE Rate U(BR)
CBO
@Ic U(BR)
CEO
@Ic U(BR)
EBO
@IE @TA Ref *?
mAV VmAVmAVmA °C
SU160  MAX1.01500 MIN  7001005.010 25Rft84
Bei89
  Rate ICES @UCE Rate U(BR)
CBO
@Ic U(BR)
CEO
@Ic U(BR)
EBO
@IE @TA 16736
mAV VmAVmAVmA °C
Hoch - UpRunter - Down  Rate ICEO @UCE IEBO @UEB Rate U(BR)
CER
@Ic RBE U(BR)
CEO
@Ic @Tc Ref *?
mAVmAV VmAOHM VmA °C
2N6306  MAX0.52501.08.0 MIN35010050 250100 25Rca81 Nächster - Next
RCS579  MAX0.52502.06.0 MIN40010050 250100 25Rca81 Nächster - Next
2N6307  MAX0.53001.08.0 MIN40010050 300100 25Rca81 Nächster - Next
2N6308  MAX0.53501.08.0 MIN45010050 350100 25Rca81 Nächster - Next
  Rate ICEO @UCE IEBO @UEB Rate U(BR)
CER
@Ic RBE U(BR)
CEO
@Ic @Tc 15762
mAVmAV VmAOHM VmA °C
Hoch - UpRunter - Down  Rate ICEV @UCE UBE
(OFF)
Rate U(BR)
EBO
@IE E
(SB)
@Ic UBE
(OFF)
RBB Lc @Tc Ref *?
mAVV VmA mJAVkOHMmH °C
2N6306  MAX0.55001.5 MIN   1803.01.53.040 25Rca81 Zurück - Back
MAX2.54501.5 MIN         150
RCS579  MAX0.55001.5 MIN6.01.0 1803.01.53.040 25Rca81 Zurück - Back
MAX2.54501.5 MIN         150
2N6307  MAX0.56001.5 MIN   1803.01.53.040 25Rca81 Zurück - Back
MAX2.55501.5 MIN         150
2N6308  MAX0.57001.5 MIN   1803.01.53.040 25Rca81 Zurück - Back
MAX2.56501.5 MIN         150
  Rate ICEV @UCE UBE
(OFF)
Rate U(BR)
EBO
@IE E
(SB)
@Ic UBE
(OFF)
RBB Lc @Tc 15759
mAVV VmA mJAVkOHMmH °C
Hoch - UpRunter - Down  Rate ICES @UCE ICER @UCE RBE IEBO @UEB Rate U(BR)
CEO
@Ic @Tc Ref *?
mAV mAVOHM mAV VmA °C
BD232  MAX0.1500        MIN30010 25Mot85 Nächster - Next
BUX46  MAX0.1850 0.385010 1.07.0 MIN400100 25Sga82
MAX1.0850 2.085010    MIN   125
BUX47  MAX0.15850 0.485010 1.07.0 MIN400100 25Sga82
MAX1.5850 3.085010    MIN   125
BUX48  MAX0.2850 0.585010 1.05.0 MIN400200 25Sga82
MAX2.0850 4.085010    MIN   125
BUX48A  MAX0.21000 0.5100010 1.05.0 MIN450200 25Sga82
MAX2.01000 4.0100010    MIN   125
BUX48B  MAX0.51000 0.5100010 1.05.0 MIN600100 25Sga82 Nächster - Next
MAX3.01000 4.0100010    MIN   125
BUX48C  MAX0.51000 0.5100010 1.05.0 MIN700100 25Sga82 Nächster - Next
MAX3.01000 4.0100010    MIN   125
  Rate ICES @UCE ICER @UCE RBE IEBO @UEB Rate U(BR)
CEO
@Ic @Tc 15733
mAV mAVOHM mAV VmA °C
Hoch - UpRunter - Down  Rate ICEO @UCE Rate U(BR)
CER
@Ic RBE Lc UCL @Tc Ref *?
mAV VAOHMmHV °C
BUX48B  MAX1.0600 MIN10000.5102.01000 25Sga82 Zurück - Back
BUX48C  MAX1.0700 MIN10000.5102.01000 25Sga82 Zurück - Back
  Rate ICEO @UCE Rate U(BR)
CER
@Ic RBE Lc UCL @Tc 15733
mAV VAOHMmHV °C
Hoch - UpRunter - Down  Rate ICEO @UCE TJ Rate UCEO
(SUS)
@IC LC TJ Ref *?
mAV°C VAmH°C
BD232  MAX0.150025 MIN3000.12525 Phi73 Zurück - Back
MAX1.0500125
  Rate ICEO @UCE TJ Rate UCEO
(SUS)
@IC LC TJ 17835
mAV°C VAmH°C

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