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2 Statische Kenndaten
Static Characteristics

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2.3 Feldeffekt-Transistoren
Field-Effect Transistors

2.3.6 Selbstleitende Silizium-MOS-Kleinsignaltypen im Sperrzustand (ausgeschaltet)
Silicon Depletion-Mode MOS Small-Signal Devices (Off-State)

Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

Hoch - UpRunter - Down
BSS129
@TJ:
Rate
U (BR) DSV:
@UGS (OFF):
@ID:
IDSV:
IDSV:
@TJ:
@UDS:
@UGS (OFF):
IGSS:
@UGS:
25
MIN TYP MAX
230
-
-
-
–3.0
0.25
-
-
-
- - 100
-
-
-
125
200
-
230
–3.0
-
-
10
20
100
-
°C
 
V
V
mA
nA
µA
°C
V
V
nA
V
Ref *?
Sie87
14446

2.3.8 Selbstleitende Silizium-MOS-Leistungstypen im Sperrzustand (ausgeschaltet)
Silicon Depletion-Mode MOS Power Devices (Off-State)

Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

Hoch - UpRunter - Down
 
IXTP
02N50D
IXTP
01N100D
@TJ:
Rate
U (BR) DSV:
@UGS (OFF):
@ID:
UGS (OFF):
@UDS:
@ID:
IDSV:
IDSV:
@TJ:
@UDS:
@UGS (OFF):
IGSS:
@UGS:
25
MIN MAX
500
-
-
-
–10
25
–2.5
-
-
–5.0
25
25
- 10
-
-
250
125
500
–10
-
-
±100
±20
25
MIN MAX
1000
-
-
-
–10
25
–2.5
-
-
–5.0
25
25
- 10
-
-
250
125
1000
–10
-
-
±100
±20
°C
 
V
V
µA
V
V
µA
µA
µA
°C
V
V
nA
V
Ref *?
Ixy01
14448

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OC604 spez. ASY30 OA150 OC816 KT801B AF102 EM120 KT904B OA5
MP25B OA70 BU208 MGT108 OC612 ALZ10