| KyteLabs InfoBase - Semiconductor Data |
Last modified: 2016-11-26 (18651) |
| 3 |
Dynamische Kenndaten
Dynamic Characteristic |
| 3.3 |
Feldeffekt-Transistoren
Field-Effect Transistors |
|
| 3.3.3 |
Selbstleitende Silizium-MOS-Kleinsignaltypen
Silicon Depletion-Mode MOS Devices |
Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen.
Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.
Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.
|
|
|
|
|
| 25 |
| MIN |
TYP |
0.14
-
- |
0.2
25
0.25 |
-
-
-
-
-
- |
110
20
5.0
25
0
1.0 |
-
-
-
- |
10
15
80
150 |
30
0.25
–2.0...+5.0
50 |
|
| °C |
|---|
| |
|---|
A/V
V
A |
|---|
pF
pF
pF
V
V
MHz |
|---|
ns
ns
ns
ns |
|---|
V
A
V
OHM |
|---|
|
| Ref *? |
|
14446 |
|---|
| 3.3.4 |
Selbstleitende Silizium-MOS-Leistungstypen
Silicon Depletion-Mode MOS Power Devices |
Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen.
Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.
Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.
|
|
|
|
|
|
| 25 |
| MIN |
TYP |
0.1
-
-
-
- |
0.15
50
100
300
2.0 |
-
-
-
-
-
- |
120
25
5.0
25
–10
1.0 |
-
-
-
- |
9.0
4.0
28
45 |
100
50
–10...0
30 |
|
| 25 |
| MIN |
TYP |
0.1
-
-
-
- |
0.15
50
50
300
2.0 |
-
-
-
-
-
- |
120
15
3.0
25
–10
1.0 |
-
-
-
- |
8.0
6.0
30
51 |
100
50
–10...0
30 |
|
| °C |
|---|
| |
|---|
A/V
V
mA
µs
% |
|---|
pF
pF
pF
V
V
MHz |
|---|
ns
ns
ns
ns |
|---|
V
mA
V
OHM |
|---|
|
| Ref *? |
|
14448 |
|---|
