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3 Dynamische Kenndaten
Dynamic Characteristic

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3.3 Feldeffekt-Transistoren
Field-Effect Transistors

3.3.3 Selbstleitende Silizium-MOS-Kleinsignaltypen
Silicon Depletion-Mode MOS Devices

Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

Hoch - UpRunter - Down 
BSS129
@TJ:
Rate
gfs:
@UDS:
@ID:
Ciss:
Coss:
Crss:
@UDS:
@UGS:
@f:
td (ON):
tr:
td (OFF):
tf:
@UDD:
@ID:
@UGS:
@RGS:
25
MIN TYP
0.14
-
-
0.2
25
0.25
-
-
-
-
-
-
110
20
5.0
25
0
1.0
-
-
-
-
10
15
80
150
30
0.25
2.0...+5.0
50
C
 
A/V
V
A
pF
pF
pF
V
V
MHz
ns
ns
ns
ns
V
A
V
OHM
Ref *?
Sie87
14446

3.3.4 Selbstleitende Silizium-MOS-Leistungstypen
Silicon Depletion-Mode MOS Power Devices

Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

Hoch - UpRunter - Down 
 
IXTP
02N50D
IXTP
01N100D
@TJ:
Rate
gfs:
@UDS:
@ID:
@tP:
@tP/T:
Ciss:
Coss:
Crss:
@UDS:
@UGS:
@f:
td (ON):
tr:
td (OFF):
tf:
@UDS:
@ID:
@UGS:
@RGS:
25
MIN TYP
0.1
-
-
-
-
0.15
50
100
300
2.0
-
-
-
-
-
-
120
25
5.0
25
10
1.0
-
-
-
-
9.0
4.0
28
45
100
50
10...0
30
25
MIN TYP
0.1
-
-
-
-
0.15
50
50
300
2.0
-
-
-
-
-
-
120
15
3.0
25
10
1.0
-
-
-
-
8.0
6.0
30
51
100
50
10...0
30
C
 
A/V
V
mA
s
%
pF
pF
pF
V
V
MHz
ns
ns
ns
ns
V
mA
V
OHM
Ref *?
Ixy01
14448

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