KyteLabs InfoBase - Semiconductor Data Last modified: 2018-05-01 (19172)

9 Grenzwerte
Maximum Ratings

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9.3
Feldeffekt-Transistoren
Field-Effect Transistors

9.3.3 Selbstleitende Silizium-MOS-Kleinsignaltypen
Silicon Small-Signal Depletion-Mode MOS Devices (Small-Signal MOSFETs)

Alle Angaben sind absolute Grenzwerte, wenn nichts anderes angegeben ist. Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

All values are absolute maximum ratings unless otherwise specified. Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

UDS = 10 ... 20 V
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDG UDS UGS ID RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVVmA K/W°C°C
2SK241  20025 -20±5.030 500125–55...
+125
Tos83
  PT @TA UDG UDS UGS ID RthJA TJ TSTG 17854
mW°C VVVmA K/W°C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDG UDS UGS ID RthJA TJ TA Ref *?
mW°C VVVmA K/W°C°C
SM104  15025 3020–15..
+5.0
15 6001250...
+70
Rft83
Fab80
SM103  15025 3220–15..
+5.0
15 6001250...
+70
Rft83
Fab80
  PT @TA UDG UDS UGS ID RthJA TJ TA 17866
mW°C VVVmA K/W°C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDS UG2S UG1S ID RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVVmA K/W°C°C
3SK115  20025 15±8.0±8.030 500125–55..
+125
Tos83
3SK114  20025 15±9.0±9.030 500125–55..
+125
Tos83
3SK101 
3SK102
20025 20±9.0±9.030 500125–55..
+125
Tos83
  PT @TA UDS UG2S UG1S ID RthJA TJ TSTG 17855
mW°C VVVmA K/W°C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDS ID IG2SM IG1SM RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VmAmAmA K/W°C°C
BF960 
BF961
BF964
BF966
20060 2030±10±10 <450150–55..
+150
Tfk85
BF963  20060 2050±10±10 <450150–55..
+150
Tfk85
  PT @TA UDS ID IG2SM IG1SM RthJA TJ TSTG 17856
mW°C VmAmAmA K/W°C°C
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDSX UGSS ID IG RthJA TJ TSTG Ref *?
mW°C VVmAmA K/W°C°C
2SK439  30025 20±5.030±1.0 417150–55...
+150
Hit01
2SK359  40025 20±5.030±1.0 313150–55...
+150
Hit01
  PT @TA UDSX UGSS ID IG RthJA TJ TSTG 17908
mW°C VVmAmA K/W°C°C

UDS = 200 ... 600 V
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDGR @RGS UDS UGS UGS
(PK)
ID IDM RthJA TJ TSTG Ref *?
W°C VkOhm VVVmAA K/W°C°C
BSS149  1.025 20020200±20-3501.05 <125–55...+150 Inf99
BSS129  1.025 23020230-±201500.6 <125–55...+150 Sie87
BSS129 1.025 24020240±20-1500.45 <125–55...+150 Inf99
BSS229  0.6325 25020250±20-700.21 <200–55...+150 Inf99
BSS135  1.025 60020600±14±20800.24 <125–55...+150 Sie97
  PT @TA UDGR @RGS UDS UGS UGS
(PK)
ID IDM RthJA TJ TSTG 19172
W°C VkOhm VVVmAA K/W°C°C

9.3.4 Selbstleitende Silizium-MOS-Leistungstypen
Silicon Depletion-Mode MOS Power Devices (Power MOSFETs)

Alle Angaben sind absolute Grenzwerte, wenn nichts anderes angegeben ist. Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

All values are absolute maximum ratings unless otherwise specified. Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

Hoch - UpRunter - Down IXTP
02N50D
IXTP
01N100D
 
PT:
@TC:
25
25
25
25
W
°C
PT:
@TA:
1.1
25
1.1
25
W
°C
UDSV:
UGS:
UGS (PK):
500
±20
±30
1000
±20
±30
V
V
V
UDGR:
@RGS:
500
1.0
1000
1.0
V
MOHM
ID:
IDM:
@TC:
0.2
0.8
25
0.1
0.4
25
A
A
°C
RthJA:
TJ:

TSTG:

TL:
w:
3.0
–55...
+150
–55...
+150
300
1.0
5.0
–55...
+150
–55...
+150
300
1.0
K/W
°C
 
°C
 
°C
g
Ref *? Ixy01 14447

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