KyteLabs InfoBase - Semiconductor Data Last modified: 2016-11-21 (18646)

9 Grenzwerte
Maximum Ratings

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9.3
Feldeffekt-Transistoren
Field-Effect Transistors

9.3.3 Selbstleitende Silizium-MOS-Kleinsignaltypen
Silicon Small-Signal Depletion-Mode MOS Devices (Small-Signal MOSFETs)

Alle Angaben sind absolute Grenzwerte, wenn nichts anderes angegeben ist. Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

All values are absolute maximum ratings unless otherwise specified. Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

UDS = 10 ... 20 V
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDG UDS UGS ID RthJA TJ TSTG Ref *?
mWC VVVmA K/WCC
2SK241  20025 -205.030 50012555...
+125
Tos83
  PT @TA UDG UDS UGS ID RthJA TJ TSTG 17854
mWC VVVmA K/WCC
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDG UDS UGS ID RthJA TJ TA Ref *?
mWC VVVmA K/WCC
SM104  15025 302015..
+5.0
15 6001250...
+70
Rft83
Fab80
SM103  15025 322015..
+5.0
15 6001250...
+70
Rft83
Fab80
  PT @TA UDG UDS UGS ID RthJA TJ TA 17866
mWC VVVmA K/WCC
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDS UG2S UG1S ID RthJA TJ TSTG Ref *?
mWC VVVmA K/WCC
3SK115  20025 158.08.030 50012555..
+125
Tos83
3SK114  20025 159.09.030 50012555..
+125
Tos83
3SK101 
3SK102
20025 209.09.030 50012555..
+125
Tos83
  PT @TA UDS UG2S UG1S ID RthJA TJ TSTG 17855
mWC VVVmA K/WCC
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDS ID IG2SM IG1SM RthJA TJ TSTG Ref *?
mWC VmAmAmA K/WCC
BF960 
BF961
BF964
BF966
20060 20301010 <45015055..
+150
Tfk85
BF963  20060 20501010 <45015055..
+150
Tfk85
  PT @TA UDS ID IG2SM IG1SM RthJA TJ TSTG 17856
mWC VmAmAmA K/WCC
Hoch - UpRunter - Down  PT @TA UDSX UGSS ID IG RthJA TJ TSTG Ref *?
mWC VVmAmA K/WCC
2SK439  30025 205.0301.0 41715055...
+150
Hit01
2SK359  40025 205.0301.0 31315055...
+150
Hit01
  PT @TA UDSX UGSS ID IG RthJA TJ TSTG 17908
mWC VVmAmA K/WCC

Hoch - UpRunter - Down BSS129  
PT:
IDM:
@TA:
1.0
0.6
25
W
A
C
UDS:
UGS (PK):
230
20
V
V
UDGR:
@RGS:
230
20
V
kOHM
ID:
@TA:
0.15
35
A
C
RthJA:
TJ:

TSTG:

w:
125
55...
+150
55...
+150
0.2
K/W
C
 
C
 
g
Ref *? Sie87 14446

9.3.4 Selbstleitende Silizium-MOS-Leistungstypen
Silicon Depletion-Mode MOS Power Devices (Power MOSFETs)

Alle Angaben sind absolute Grenzwerte, wenn nichts anderes angegeben ist. Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

All values are absolute maximum ratings unless otherwise specified. Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

Hoch - UpRunter - Down IXTP
02N50D
IXTP
01N100D
 
PT:
@TC:
25
25
25
25
W
C
PT:
@TA:
1.1
25
1.1
25
W
C
UDSV:
UGS:
UGS (PK):
500
20
30
1000
20
30
V
V
V
UDGR:
@RGS:
500
1.0
1000
1.0
V
MOHM
ID:
IDM:
@TC:
0.2
0.8
25
0.1
0.4
25
A
A
C
RthJA:
TJ:

TSTG:

TL:
w:
3.0
55...
+150
55...
+150
300
1.0
5.0
55...
+150
55...
+150
300
1.0
K/W
C
 
C
 
C
g
Ref *? Ixy01 14447

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