KyteLabs InfoBase - Semiconductor Data Last modified: 2016-11-24 (18649)

1 Übersicht
Overview

Vorige Seite - Previous Page Seitenanfang - Top of Page Inhalt - Table of Contents Start - Top of Document Nächste Seite - Next Page

1.3 Feldeffekt-Transistoren
Field-Effect Transistors

1.3.7 Selbstleitende Galliumarsenid-MES-Kleinsignaltypen
Gallium Arsenide Small-Signal Depletion-Mode MES Devices (Small-Signal MESFETs)

Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

Hoch - UpRunter - Down  Pol. UDS
V
gfs
mA/V
Case w
g
Art - Type = Anwendungen - Applications Ref *?
3SK121  N1017 R-4H1A
TO-50
0.08Tetrode, marking: UG = TV tuner, UHF RF amplifier applications Tos83
CF100  N1020 R-4H1A
TO-50
<0.1Tetrode = Regelbare Verstärker und Mischer bis 2 GHz in Source-Schaltung Tfk85
CF121  N1020 R-4H1A
TO-50
<0.1Tetrode mit integrierten Gate-Schutzdioden = Regelbare Verstärker und Mischer bis 2 GHz in Source-Schaltung Tfk85
CF221  N1020 R-4H2
TO-50
<0.1Tetrode mit integrierten Gate-Schutzdioden = Regelbare Verstärker und Mischer bis 2 GHz in Gate-1-Schaltung Tfk85
CF300  N1025 R-4H1A
TO-50
<0.1Tetrode = Regelbare Verstärker und Mischer bis 2 GHz in Source-Schaltung Tfk85
CF400  N1020 R-4H2
TO-50
<0.1Tetrode = Regelbare Verstärker und Mischer bis 2 GHz in Gate-1-Schaltung Tfk85
  Pol. UDS
V
gfs
mA/V
Case w
g
Art - Type = Anwendungen - Applications 17887

Vorige Seite - Previous Page Seitenanfang - Top of Page Inhalt - Table of Contents Start - Top of Document Nächste Seite - Next Page

Copyright © 2016Franz Hamberger, Berlin, Germany

OC604 spez. ASY30 OA150 OC816 KT801B AF102 EM120 KT904B OA5
MP25B OA70 BU208 MGT108 OC612 ALZ10