KyteLabs InfoBase - Semiconductor Data Last modified: 2016-12-04 (18659)

1 Übersicht
Overview

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1.2 Bipolare Transistoren
Bipolar Transistors

1.2.6 Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT)
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT)

Die Spannungs- und Stromangaben sind als Betrag aufzufassen. Vorzeichen müssen entsprechend Betriebsart und Polarität des Halbleitermaterials gesetzt werden.

Voltage and current ratings are given as magnitude, where the sign has to be set according to operating condition and polarity of the semiconductor material.

2SH26 ... 2SH29
Hoch - UpRunter - Down  Pol. UCE IC PT Base w Art - Type = Anwendungen - Applications Ref
*?
Dim:VAWCaseg
2SH26  N6001050 L-3D6
TO-220AB
 High Speed Power Switching Hit99
2SH27  N6001550 L-3D6
TO-220AB
 High Speed Power Switching Hit99
2SH28  N6002060 L-3D6
TO-220AB
 High Speed Power Switching Hit99
2SH29  N6003075 L-3D6
TO-220AB
 High Speed Power Switching Hit99
2SH30  N60050100 L-3D7
TO-3P
 High Speed Power Switching Hit99
2SH31  N60075150 L-3D7
TO-3P
 High Speed Power Switching Hit99
  Pol. UCE IC PT Base w Art - Type = Anwendungen - Applications 17905
Dim:VAWCaseg

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OC604 spez. ASY30 OA150 OC816 KT801B AF102 EM120 KT904B OA5
MP25B OA70 BU208 MGT108 OC612 ALZ10